HER603G R0G Taiwan Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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| 10+ | 2.52 EUR |
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| 500+ | 1.37 EUR |
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Technische Details HER603G R0G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: HER60xG Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote HER603G R0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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HER603G R0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: HER60xG Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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HER603G R0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 |
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