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HER603G

HER603G TAIWAN SEMICONDUCTOR

HER601G SERIES_H2104.pdf Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 148 Stücke:
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Technische Details HER603G TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER603G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HER603G HER603G Hersteller : Taiwan Semiconductor her601g20series_h2104.pdf Diode Switching 200V 6A 2-Pin Case R-6 T/R
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HER603G HER603G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation HER601G SERIES_H2104.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 6A R6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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HER603G HER603G Hersteller : Taiwan Semiconductor HER601G SERIES_H2104.pdf Rectifiers 50ns, 6A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
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