HFA08TB120PBF

HFA08TB120PBF IR


Produktcode: 175454
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AC
Vrr, V: 1200 V
Iav, A: 8 A
Trr, ns: 95ns
auf Bestellung 247 Stück:

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HFA08TB120PBF Hersteller : Vishay/IR Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 200; Io, А = 8; Uf (max), В = 3,3; If, A = 8; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1200; trr, нс = 95; Тексп, °C = -55...+150; TO-220AC
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HFA08TB120PBF HFA08TB120PBF Hersteller : Vishay 1116301460316662hfa08tb1.pdf Rectifier Diode Switching 8A 95ns 2-Pin(1+Tab) Power Tab Tube
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HFA08TB120PBF HFA08TB120PBF Hersteller : Vishay Semiconductors Rectifiers 1200 Volt 8.0 Amp
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 84 Stück:
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erwartet 800 Stück:
400 Stück - erwartet 20.06.2025
400 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl Preis
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10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
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MUR4100ERLG
Produktcode: 2526
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mur480e-d.pdf
MUR4100ERLG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 4
Trr, ns: 75
auf Bestellung 111 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
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L7912CV
Produktcode: 3263
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description L7900 series.pdf
L7912CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: -35
Uout,V: -12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
auf Bestellung 210 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.24 EUR
100+0.20 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5767 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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HER608
Produktcode: 112398
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her601-355474.pdf
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: D6
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 6 A
Trr, ns: 75 ns
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erwartet: 1000 Stück
1000 Stück - erwartet 29.06.2025
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