HFGM300D12V3 HUAJING
Hersteller: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: V3 62MM
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
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Technische Details HFGM300D12V3 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 300A, Case: V3 62MM, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 600A, Mechanical mounting: screw, Technology: PT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| HFGM300D12V3 | Huajing | IGBT Half Bridge, 1200V, 300A (аналог FF300R12KS4) Силові IGBT-модулі |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HFGM300D12V3 |
Hersteller: Huajing
IGBT Half Bridge, 1200V, 300A (аналог FF300R12KS4) Силові IGBT-модулі
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