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HFGM300D12V3 HUAJING


HFGM300D_ser.pdf
Hersteller: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: V3 62MM
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 600A
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
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Technische Details HFGM300D12V3 HUAJING

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 300A, Case: V3 62MM, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 600A, Technology: PT, Mechanical mounting: screw.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HFGM300D12V3 Huajing IGBT Half Bridge, 1200V, 300A (аналог FF300R12KS4) Силові IGBT-модулі
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HFGM300D12V3
Hersteller: Huajing
IGBT Half Bridge, 1200V, 300A (аналог FF300R12KS4) Силові IGBT-модулі
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