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HGTG20N60B3

HGTG20N60B3 Harris Corporation

ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
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Technische Details HGTG20N60B3 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 165 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG20N60B3 Hersteller : N/A ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgtg20n60b3-d.pdf 09+
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HGTG20N60B3 Hersteller : ON Semiconductor ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgtg20n60b3-d.pdf
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HGTG20N60B3 HGTG20N60B3
Produktcode: 63371 		Hersteller : FAIR ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hgtg20n60b3-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 40
Ic 100: 20
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
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HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Hersteller : ON Semiconductor hgtg20n60b3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Hersteller : onsemi hgtg20n60b3-d.pdf Description: IGBT 600V 40A 165W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
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HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Hersteller : onsemi / Fairchild HGTG20N60B3_D-2314189.pdf IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
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