HGTG27N120BN ON Semiconductor
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Technische Details HGTG27N120BN ON Semiconductor
Description: IGBT NPT 1200V 72A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off), Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A, Power - Max: 500 W.
Weitere Produktangebote HGTG27N120BN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| HGTG27N120BN | Hersteller : FAIRCHIL |
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HGTG27N120BN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG27N120BN | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 72A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A Power - Max: 500 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HGTG27N120BN | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT |
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