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HGTG27N120BN

HGTG27N120BN ON Semiconductor

hgtg27n120bn-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details HGTG27N120BN ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off), Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A, Power - Max: 500 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG27N120BN ONS/FAI HGTG27N120BN%2C%20HGT5A27N120BN.pdf IGBT 72A, 1200V, NPT Series Транзистори
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HGTG27N120BN HGTG27N120BN onsemi hgtg27n120bn-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W
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HGTG27N120BN HGTG27N120BN onsemi / Fairchild HGTG27N120BN_D-1810213.pdf IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT
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HGTG27N120BN HGTG27N120BN ONSEMI 2286338.pdf Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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HGTG27N120BN HGTG27N120BN%2C%20HGT5A27N120BN.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT 72A, 1200V, NPT Series Транзистори
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HGTG27N120BN hgtg27n120bn-d.pdf
HGTG27N120BN
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W
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HGTG27N120BN HGTG27N120BN_D-1810213.pdf
HGTG27N120BN
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT
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HGTG27N120BN 2286338.pdf
HGTG27N120BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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