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HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D VBsemi

Produktcode: 216813

Hersteller: VBsemi
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 28/270

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
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HGTP12N60C3D	Hersteller : ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
HGTP12N60C3D	Hersteller : ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
HGTP12N60C3D	Hersteller : onsemi	Description: IGBT 600V 24A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220-3 Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off) Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
HGTP12N60C3D	Hersteller : onsemi	IGBTs HGTP12N60C3D	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH