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HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor

FAIRS21674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 380V 20A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 326 Stücke:
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Technische Details HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor

Description: IGBT 380V 20A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Gate Charge: 28.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V, Power - Max: 150 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTP20N35G3VL ON Semiconductor FAIRS21674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HGTP20N35G3VL
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HGTP20N35G3VL ONSEMI FAIRS21674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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HGTP20N35G3VL FAIRS21674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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