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HGTP3N60A4

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HGTP3N60A4 HGTP3N60A4 ON Semiconductor hgtp3n60a4jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HGTP3N60A4 HGTP3N60A4 ON Semiconductor hgtp3n60a4jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HGTP3N60A4 HGTP3N60A4 ON Semiconductor hgtp3n60a4jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HGTP3N60A4 HGTP3N60A4 Harris Corporation FAIRS21431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
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HGTP3N60A4 HARRIS FAIRS21431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HGTD3N60A4S%2CHGTP3N60A4.pdf HGTP3N60A4
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HGTP3N60A4 fairchild FAIRS21431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HGTD3N60A4S%2CHGTP3N60A4.pdf 2011+
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Hersteller: ON Semiconductor
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