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HGTP7N60A4

HGTP7N60A4 ON Semiconductor

hgtp7n60a4-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details HGTP7N60A4 ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 34A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-220-3, Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns, Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off), Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A, Power - Max: 125 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTP7N60A4 HGTP7N60A4 ONSEMI 2284605.pdf Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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HGTP7N60A4 fairchild hgtp7n60a4-d.pdf 2011+
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HGTP7N60A4 2284605.pdf
HGTP7N60A4
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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HGTP7N60A4 hgtp7n60a4-d.pdf
Hersteller: fairchild
2011+
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