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HN1A01FU-GR,LF

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Toshiba 4232464544423942424139304232354539394437434631443444313630323639.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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HN1A01FU-GR,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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HN1A01FU-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
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Transistor Type: 2 PNP (Dual)
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HN1C01FU-GR,LF
Produktcode: 128730
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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