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HN1C01FU-GR,LF

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HN1C01FU-GR,LF HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2860 Stücke:
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44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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HN1C01FU-GR,LF HN1C01FU-GR,LF Toshiba 3439443730313542343138433645324238354336333442373236383536443435.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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HN1C01FU-GR,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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HN1A01FU-GR,LF
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