HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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49+ | 1.06 EUR |
57+ | 0.92 EUR |
100+ | 0.64 EUR |
500+ | 0.5 EUR |
1000+ | 0.36 EUR |
8000+ | 0.32 EUR |
24000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6).
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Preis ohne MwSt |
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HN1B04FE-GR,LXHF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
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HN1B04FE-GR,LXHF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
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