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HN2D02FUTW1T1G

HN2D02FUTW1T1G ON Semiconductor

hn2d02futw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching 85V 0.1A 3ns 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details HN2D02FUTW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-363, Durchlassstoßstrom: 1A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 3ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HN2D0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 85V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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790+0.21 EUR
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3000+0.12 EUR
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
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Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G onsemi HN2D02FUTW1T1_D-2314316.pdf Rectifiers 85V 100mA
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HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G onsemi HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88
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Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
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Bauform - Diode: SOT-363
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Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
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Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
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usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
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Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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