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HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22329&prodName=HN4A51J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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Technische Details HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HN4A51JTE85LF HN4A51JTE85LF Toshiba HN4A51J_datasheet_en_20140301-1839223.pdf Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
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HN4A51JTE85LF HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22329&prodName=HN4A51J Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
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Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
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HN4A51JTE85LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
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