HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Not For New Designs.
Weitere Produktangebote HN4C06J-BL(TE85L,F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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HN4C06J-BL(TE85L,F) | Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
auf Bestellung 3542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HN4C06J-BL(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
auf Bestellung 3542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)