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Technische Details HP8KB5TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote HP8KB5TB1 nach Preis ab 0.63 EUR bis 3.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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HP8KB5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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HP8KB5TB1 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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HP8KB5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - HP8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 16.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 20W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KB5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HP8KB5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HP8KB5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: 40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
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