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Technische Details HS1G

Preis HS1G ab 0.027 EUR bis 1.17 EUR

HS1G
Hersteller: Good-Ark
Rectifier Diode Switching 400V 1A 50ns 2-Pin SMA
HS1A_HS1M.pdf HS1A%20SERIES_L2102.pdf
auf Bestellung 2888 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1619+ 0.1 EUR
1632+ 0.096 EUR
1651+ 0.092 EUR
2033+ 0.072 EUR
2128+ 0.066 EUR
2151+ 0.062 EUR
2359+ 0.054 EUR
HS1G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: HS1G-YAN SMD universal diodes
HS1A_HS1M.pdf HS1A%20SERIES_L2102.pdf
auf Bestellung 4880 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
663+ 0.11 EUR
1867+ 0.038 EUR
2068+ 0.035 EUR
2350+ 0.03 EUR
5000+ 0.027 EUR
HS1G
HS1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
HS1A%20SERIES_L2102.pdf
auf Bestellung 557 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
23+ 1.17 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.37 EUR
HS1G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: HS1G-YAN SMD universal diodes
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HS1G
HS1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM
HS1A_SERIES_K15-1918167.pdf
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HS1G
HS1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
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