HS1KL R3G
Produktcode: 144480
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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HS1KL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns 1A 800V High Ef f Recovery Rectifie |
auf Bestellung 1142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HS1KL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
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| HS1KL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
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HS1KL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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HS1KL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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