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HT8KA5TB1

HT8KA5TB1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 30V 12A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO
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Technische Details HT8KA5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HT8KA5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0164 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0164ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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HT8KA5TB1 HT8KA5TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HT8KA5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 30V 12A, DUAL NCH+PCH, HSMT8, PO
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HT8KA5TB1 HT8KA5TB1 ROHM 4748029.pdf Description: ROHM - HT8KA5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0164 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSMT
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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