| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.67 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 3000+ | 1.02 EUR |
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Technische Details HT8MB5TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 13W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote HT8MB5TB1 nach Preis ab 1.27 EUR bis 4.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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HT8MB5TB1 | ROHM |
 Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm Verlustleistung, p-Kanal: 13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HT8MB5TB1 | ROHM |
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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| HT8MB5TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
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Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
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Verlustleistung, p-Kanal: 13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.59 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| HT8MB5TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Description: ROHM - HT8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.59 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |