HUF75321S3S

HUF75321S3S Fairchild Semiconductor


HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
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Technische Details HUF75321S3S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HUF75321S3S HUF75321S3S Hersteller : Harris Corporation HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
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HUF75321S3S Hersteller : ONSEMI HRISC025-6.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
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HUF75321S3S HUF75321S3S Hersteller : ON Semiconductor huf75321p3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
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HUF75321S3S HUF75321S3S Hersteller : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_huf75321p3-1191485.pdf MOSFETs 20a 55V N-Channel UltraFET
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