HUF75339P3 ON Semiconductor
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| 108+ | 1.40 EUR |
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Technische Details HUF75339P3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote HUF75339P3 nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75339P3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET |
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HUF75339P3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75339P3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75339P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75339P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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HUF75339P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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