HUF75639G3 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 450+ | 2.28 EUR |
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Technische Details HUF75639G3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote HUF75639G3 nach Preis ab 2.42 EUR bis 6.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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HUF75639G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75639G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HUF75639G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HUF75639G3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm |
auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75639G3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75639G3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75639G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HUF75639G3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| HUF75639G3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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