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HUF75639S3ST ON Semiconductor

Name: HUF75639S3ST
Brand: ON Semiconductor
SKU: 39834232-5
Price: 142.04 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details HUF75639S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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HUF75639S3ST

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75639S3ST

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75639S3ST

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75639S3ST

Hersteller : Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

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HUF75639S3ST

Hersteller : onsemi / Fairchild

423A5F16512132725470531FE597A9402FCD6F1325C006DA91B9977AE36FBF35.pdf

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

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10+	3.41 EUR
100+	2.38 EUR
500+	2.36 EUR
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HUF75639S3ST
Produktcode: 163634

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Transistoren > MOSFET N-CH

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HUF75639S3ST

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

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10+	3.42 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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39+	3.52 EUR
100+	2.36 EUR
500+	2.26 EUR

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Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75639S3ST

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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HUF75639S3ST

Hersteller : ONSEMI

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HUF75639S3ST

Hersteller : ONSEMI

HUF75639S3ST SMD N channel transistors

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19+	3.79 EUR
37+	1.96 EUR
39+	1.86 EUR

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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HUF75639S3ST

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

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