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HUF75645P3

HUF75645P3 ON Semiconductor

huf75645s3s-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details HUF75645P3 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V.

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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75645s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ONSEMI HUF75645.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ONSEMI HUF75645.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75645s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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54+2.65 EUR
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75645s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : onsemi / Fairchild HUF75645S3S_D-2314315.pdf MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : onsemi FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ON Semiconductor huf75645s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HUF75645P3 HUF75645P3 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013297686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
directShipCharge: 25
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HUF75645P3 Hersteller : ON-Semicoductor FAIRS45737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
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Anzahl Preis
10+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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HUF75645P3 HUF75645P3
Produktcode: 56156
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