HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 405+ | 1.44 EUR |
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Technische Details HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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HUFA76419D3ST | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch |
auf Bestellung 3786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HUFA76419D3ST |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
auf Bestellung 3786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)