HUM2010B Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: RF DIODE PIN 1000V 13W AXIAL
Power Dissipation (Max): 13 W
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Peak Reverse (Max): 1000V
Resistance @ If, F: 200mOhm @ 500mA, 4MHz
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 100V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details HUM2010B Microchip Technology
Description: RF DIODE PIN 1000V 13W AXIAL, Power Dissipation (Max): 13 W, Supplier Device Package: Axial, Voltage - Peak Reverse (Max): 1000V, Resistance @ If, F: 200mOhm @ 500mA, 4MHz, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 100V, 1MHz, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Diode Type: PIN - Single, Package / Case: Axial, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| HUM2010B | Microsemi |
 PIN Diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| HUM2010B |
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