Technische Details HYB25L512160AC-7.5 INFINEON
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 54-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TC), Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-FBGA (8x12), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 14ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 6 ns, Memory Organization: 32M x 16.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| HYB25L512160AC-7.5 | Hersteller : INFINEON |
 05+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| HYB25L512160AC-7.5 | Hersteller : SAMSUNG |
05+ |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HYB25L512160AC-7.5 Produktcode: 24045 |
IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
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HYB25L512160AC-7.5 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 54-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TC) Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x12) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 6 ns Memory Organization: 32M x 16 |
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