HYG013N03LS1C2 HUAYI
Hersteller: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C; HYG013N03LS1C2 HUAYI THYG013n03ls1c2
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Technische Details HYG013N03LS1C2 HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C; HYG013N03LS1C2 HUAYI THYG013n03ls1c2, Anzahl je Verpackung: 25 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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|---|---|---|---|---|---|
| HYG013N03LS1C2 | Hangzhou Huayi Electronic | N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення |
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| HYG013N03LS1C2 | Hangzhou Huayi Electronic | Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори |
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| HYG013N03LS1C2 |
Hersteller: Hangzhou Huayi Electronic
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення
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| HYG013N03LS1C2 |
Hersteller: Hangzhou Huayi Electronic
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори
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