HYG013N03LS1C2 Hangzhou Huayi Electronic
Hersteller: Hangzhou Huayi Electronic
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення
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Technische Details HYG013N03LS1C2 Hangzhou Huayi Electronic
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| HYG013N03LS1C2 | Hangzhou Huayi Electronic | Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори |
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| HYG013N03LS1C2 |
Hersteller: Hangzhou Huayi Electronic
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори
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