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IAUAN04S7N006AUMA1

IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON

Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 990 Stücke:
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Technische Details IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218 Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+4.12 EUR
100+3.15 EUR
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IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218 Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
46+5.13 EUR
100+3.83 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUAN04S7N006_DataSheet_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2451 Stücke:
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1+7.12 EUR
10+4.66 EUR
100+3.27 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.75 EUR
2000+2.51 EUR
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IAUAN04S7N006AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218
IAUAN04S7N006AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4+5.38 EUR
10+4.12 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IAUAN04S7N006AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+6.95 EUR
46+5.13 EUR
100+3.83 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.12 EUR
10+4.66 EUR
100+3.27 EUR
500+2.89 EUR
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