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IAUC28N08S5L230ATMA1


Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC28N08S5L230_DataSheet_v01_00_EN-1696489.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 8382 Stücke:
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IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3681 Stücke:
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8+2.34 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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