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IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050
Produktcode: 193844
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC28N08S5L230_DataSheet_v01_00_EN-1696489.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 8382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.21 EUR
100+0.88 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
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1000+0.7 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON 3154646.pdf Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
122+1.76 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON 3154646.pdf Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
90+2.59 EUR
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1000+1.07 EUR
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc28n08s5l230-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive Power Mosfet
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
106+1.63 EUR
111+1.52 EUR
133+1.24 EUR
250+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc28n08s5l230-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive Power Mosfet
auf Bestellung 5000 Stücke:
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90+1.94 EUR
101+1.67 EUR
106+1.54 EUR
111+1.4 EUR
133+1.13 EUR
250+1.02 EUR
500+0.83 EUR
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3000+0.67 EUR
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IAUC28N08S5L230ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon_IAUC28N08S5L230_DataSheet_v01_00_EN-1696489.pdf
IAUC28N08S5L230ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 8382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.65 EUR
10+1.21 EUR
100+0.88 EUR
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5000+0.56 EUR
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IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050
IAUC28N08S5L230ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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IAUC28N08S5L230ATMA1 3154646.pdf
IAUC28N08S5L230ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
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Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
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122+1.76 EUR
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IAUC28N08S5L230ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
90+2.59 EUR
122+1.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Automotive Power Mosfet
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
101+1.73 EUR
106+1.63 EUR
111+1.52 EUR
133+1.24 EUR
250+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Automotive Power Mosfet
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
90+1.94 EUR
101+1.67 EUR
106+1.54 EUR
111+1.4 EUR
133+1.13 EUR
250+1.02 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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