IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IAUC28N08S5L230ATMA1 nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 14695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
auf Bestellung 6706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Automotive Power Mosfet |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Automotive Power Mosfet |
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IAUC28N08S5L230ATMA1 Produktcode: 193844 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
H8 84R5 0.1% 25PPM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IAUC28N08S5L230ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |