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Technische Details IAUCN04S6N007TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 206W, Bauform - Transistor: LHDSO, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IAUCN04S6N007TATMA1 nach Preis ab 1.90 EUR bis 5.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IAUCN04S6N007TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET_(20V 40V)Packaging: Cut Tape (CT) |
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IAUCN04S6N007TATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 206W Bauform - Transistor: LHDSO Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IAUCN04S6N007TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET_(20V,40V) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUCN04S6N007TATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |