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IAUCN04S6N007TATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IAUCN04S6N007T_DataSheet_v01_01_EN-3361550.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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Technische Details IAUCN04S6N007TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 206W, Bauform - Transistor: LHDSO, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S6N007TATMA1 IAUCN04S6N007TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S6N007T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbc69b1ece Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
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IAUCN04S6N007TATMA1 IAUCN04S6N007TATMA1 INFINEON 4032193.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2956 Stücke:
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33+7.72 EUR
46+5.06 EUR
100+3.77 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.02 EUR
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IAUCN04S6N007TATMA1 Infineon-IAUCN04S6N007T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbc69b1ece
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S6N007TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 206W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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