IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.70 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
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Technische Details IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUCN04S7L005ATMA1 nach Preis ab 2.25 EUR bis 4.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IAUCN04S7L005ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUCN04S7L005ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUCN04S7L005ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 520 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUCN04S7L005ATMA1 Produktcode: 205699
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IAUCN04S7L005ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUCN04S7L005ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 430A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IAUCN04S7L005ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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