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IAUCN04S7L028ATMA1

IAUCN04S7L028ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7L028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35eccb611a5a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
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Technische Details IAUCN04S7L028ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7L028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2820 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2820µohm.

Weitere Produktangebote IAUCN04S7L028ATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 3.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35eccb611a5a Description: MOSFET_(20V 40V)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7L028_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 INFINEON 4146080.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2820 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2820µohm
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112+2.07 EUR
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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 INFINEON 4146080.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2820 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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100+3.59 EUR
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IAUCN04S7L028ATMA1
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Description: MOSFET_(20V 40V)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Grade: Automotive
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
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IAUCN04S7L028ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2820 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: INFINEON - IAUCN04S7L028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2820 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2820µohm
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