Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S7N006ATMA1
IAUCN04S7N006ATMA1

IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecc1f21a57
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 5000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 164W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm.

Weitere Produktangebote IAUCN04S7N006ATMA1 nach Preis ab 1.75 EUR bis 7.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 INFINEON 4146081.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n006-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 370A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n006-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 370A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecc1f21a57 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
10+3.52 EUR
50+2.69 EUR
100+2.43 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecc1f21a57 MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
5000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 INFINEON 4146081.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.95 EUR
49+4.76 EUR
100+3.06 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 4146081.pdf
IAUCN04S7N006ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.06 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 infineon-iaucn04s7n006-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N006ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 370A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 infineon-iaucn04s7n006-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUCN04S7N006ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 370A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecc1f21a57
IAUCN04S7N006ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.43 EUR
10+3.52 EUR
50+2.69 EUR
100+2.43 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N006-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ecc1f21a57
IAUCN04S7N006ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.46 EUR
10+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
5000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN04S7N006ATMA1 4146081.pdf
IAUCN04S7N006ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 630 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 164W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+7.95 EUR
49+4.76 EUR
100+3.06 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH