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IAUCN04S7N009ATMA1

IAUCN04S7N009ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S7N009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc142b1f38
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.11 EUR
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Technische Details IAUCN04S7N009ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 129W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm.

Weitere Produktangebote IAUCN04S7N009ATMA1 nach Preis ab 1.26 EUR bis 6.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 INFINEON 4146082.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N009_DataSheet_v01_00_EN-3392537.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 14895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.7 EUR
25+1.67 EUR
100+1.45 EUR
250+1.44 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc142b1f38 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 INFINEON 4146082.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
64+3.64 EUR
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IAUCN04S7N009ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IAUCN04S7N009ATMA1 Infineon-IAUCN04S7N009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc142b1f38
IAUCN04S7N009ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
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IAUCN04S7N009ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 960 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 129W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
64+3.64 EUR
100+2.31 EUR
500+1.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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