IAUCN04S7N019DATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.47 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.53 EUR |
| 2500+ | 1.5 EUR |
| 5000+ | 1.46 EUR |
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Technische Details IAUCN04S7N019DATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 96W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IAUCN04S7N019DATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IAUCN04S7N019DATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 96W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IAUCN04S7N019DATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 96W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IAUCN04S7N019DATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IAUCN04S7N019DATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
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auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)