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IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies


infineon_iaucn04s7n027g_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
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Technische Details IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N027GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 117 A, 0.00267 ohm, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00267ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n027g-datasheet-en.pdf Description: IAUCN04S7N027GATMA1
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00267ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUCN04S7N027GATMA1
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N027GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 117 A, 0.00267 ohm, Oberflächenmontage
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