Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN08S7N013ATMA1
IAUCN08S7N013ATMA1

IAUCN08S7N013ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN08S7N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d40516d4969aa
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IAUCN08S7N013ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 219W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IAUCN08S7N013ATMA1 nach Preis ab 3.63 EUR bis 8.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN08S7N013ATMA1 IAUCN08S7N013ATMA1 INFINEON 4148549.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.22 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N013ATMA1 IAUCN08S7N013ATMA1 INFINEON 4148549.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.34 EUR
44+5.36 EUR
100+4.22 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N013ATMA1 IAUCN08S7N013ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN08S7N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d40516d4969aa Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
10+5.9 EUR
100+4.19 EUR
500+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N013ATMA1 4148549.pdf
IAUCN08S7N013ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.22 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N013ATMA1 4148549.pdf
IAUCN08S7N013ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.34 EUR
44+5.36 EUR
100+4.22 EUR
500+4.09 EUR
1000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUCN08S7N013ATMA1 Infineon-IAUCN08S7N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d40516d4969aa
IAUCN08S7N013ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.95 EUR
10+5.9 EUR
100+4.19 EUR
500+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH