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IAUCN08S7N019TATMA1

IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 180W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LHSOIC, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm.

Weitere Produktangebote IAUCN08S7N019TATMA1 nach Preis ab 2.34 EUR bis 6.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.91 EUR
10+3.88 EUR
100+2.73 EUR
500+2.45 EUR
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IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies Infineon_04-30-2025_IAUCN08S7N019T-Data-Sheet-10-Infineon.pdf MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
auf Bestellung 5284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.24 EUR
100+2.97 EUR
500+2.5 EUR
2000+2.34 EUR
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IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc
IAUCN08S7N019TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
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IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc
IAUCN08S7N019TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH