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IAUCN10S5L094DATMA1

IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON

Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUCN10S5L094D-Data-Sheet-10-Infineon.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9 Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
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IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUCN10S5L094D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801918ebccd4155f9 Description: MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
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MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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IAUCN10S5L094DATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
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