IAUCN10S7N025TATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
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Technische Details IAUCN10S7N025TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN10S7N025TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0025 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, Verlustleistung: 205W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: LHDSO, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
Weitere Produktangebote IAUCN10S7N025TATMA1 nach Preis ab 4.45 EUR bis 9.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IAUCN10S7N025TATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IAUCN10S7N025TATMA1 |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IAUCN10S7N025TATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN10S7N025TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0025 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 205W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: LHDSO Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
auf Bestellung 344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN10S7N025TATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IAUCN10S7N025TATMA1
Description: IAUCN10S7N025TATMA1
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.42 EUR |
| 10+ | 6.26 EUR |
| 50+ | 4.89 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| IAUCN10S7N025TATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N025TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0025 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 205W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
Description: INFINEON - IAUCN10S7N025TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0025 ohm, LHDSO, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 9.84 EUR |
| 33+ | 7.24 EUR |
| 100+ | 5.41 EUR |