IAUS300N08S5N012 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 11.65 EUR |
| 25+ | 10.98 EUR |
| 50+ | 10.34 EUR |
| 100+ | 9.77 EUR |
| 250+ | 9.33 EUR |
| 500+ | 8.94 EUR |
| 1000+ | 8.51 EUR |
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Technische Details IAUS300N08S5N012 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 300A, Pulsed drain current: 1.2kA, Power dissipation: 375W, Case: PG-HSOG-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 73nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IAUS300N08S5N012
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS300N08S5N012 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IAUS300N08S5N012 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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| IAUS300N08S5N012ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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