IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.7 EUR |
| 10+ | 9.82 EUR |
| 100+ | 8.57 EUR |
| 500+ | 8.51 EUR |
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Technische Details IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
Weitere Produktangebote IAUTN15S6N025ATMA1 nach Preis ab 10.12 EUR bis 19.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IAUTN15S6N025ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUTN15S6N025ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 245A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 19.27 EUR |
| 16+ | 15.36 EUR |
| 19+ | 11.84 EUR |
| 50+ | 11.09 EUR |
| 100+ | 10.33 EUR |
| 250+ | 10.12 EUR |