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IAUZN04S7N049ATMA1

IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUZN04S7N049-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ef1ec6adc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Technische Details IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZN04S7N049-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ef1ec6adc Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
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2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon-IAUZN04S7N049-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ef1ec6adc
IAUZN04S7N049ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
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IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon-IAUZN04S7N049-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ef1ec6adc
IAUZN04S7N049ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
178+1.31 EUR
257+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon-IAUZN04S7N049-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ef1ec6adc
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
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