ICPB1010-1-110I Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 28 V
Supplier Device Package: Die
Technology: GaN HEMT
Gain: 6.1dB
Power - Output: 50W
Frequency: 14GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 4A
Package / Case: Die
Packaging: Box
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Technische Details ICPB1010-1-110I Microchip Technology
Description: DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 28 V, Supplier Device Package: Die, Technology: GaN HEMT, Gain: 6.1dB, Power - Output: 50W, Frequency: 14GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 4A, Package / Case: Die, Packaging: Box.
Weitere Produktangebote ICPB1010-1-110I
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ICPB1010-1-110I | Microchip Technology |
GaN FETs DC-14 GHz 50W Discrete GaN HEMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ICPB1010-1-110I |
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Hersteller: Microchip Technology
GaN FETs DC-14 GHz 50W Discrete GaN HEMT
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH