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IDD05SG60CXTMA2

IDD05SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Infineon-IDD05SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd2fc4391a74 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
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Technische Details IDD05SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.

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IDD05SG60CXTMA2 IDD05SG60CXTMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDD05SG60C_DS_v02_04_en-3163382.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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IDD05SG60CXTMA2 IDD05SG60CXTMA2 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDD05SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dd2fc4391a74 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD05SG60CXTMA2 - XDD05SG60 - SIC DIODES
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productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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