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IDD06SG60CXTMA2

IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies

IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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Technische Details IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

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IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : Infineon Technologies IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85 Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDD06SG60C_DS_v02_04_en-1131030.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : Infineon Technologies idd06sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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5000+ 2.61 EUR
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IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : INFINEON INFNS19737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSic 3G thinQ, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1267 Stücke:
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IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : INFINEON INFNS19737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSic 3G thinQ, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
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IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : Infineon Technologies idd06sg60c_rev2.4.pdf 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode
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IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Hersteller : Infineon Technologies idd06sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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