IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.92 EUR |
| 10+ | 4.59 EUR |
| 100+ | 3.26 EUR |
| 500+ | 3.01 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
| 2500+ | 2.57 EUR |
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Technische Details IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote IDD08SG60CXTMA2 nach Preis ab 3.81 EUR bis 8.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 3941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 3941 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDD08SG60CXTMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.1 EUR |
| 10+ | 5.36 EUR |
| 100+ | 3.81 EUR |
| IDD08SG60CXTMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDD08SG60CXTMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDD08SG60CXTMA2 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)